GP28S50XN3P - аналоги и даташиты транзистора

 

GP28S50XN3P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GP28S50XN3P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 255 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 104.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1766.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для GP28S50XN3P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP28S50XN3P Datasheet (PDF)

 7.1. Size:495K  champion
 gp28s50.pdf pdf_icon

GP28S50XN3P

GP28S50POWER FIELD EFFECT TRANSISTORGENERAL DESCRIPTION FEATURESThis high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Terminationscheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specifiedwithout degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to aadvanced MOSFET is designed to wi

Другие MOSFET... DG10N60-TO220F , FS1KM-18A , FW201 , FW202 , FW203 , FW206 , GP28S50XN220 , GP28S50XN220FP , AON7506 , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 , GP28S50GN220FP , GP28S50GN3P , GP28S50GN247 , IPA70R360P7S , IPSA70R360P7S , IRF50N06 .

History: AOD4120

 

 
Back to Top

 


 
.