GP28S50GN3P Todos los transistores

GP28S50GN3P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP28S50GN3P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 255 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 104.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1766.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: TO3P

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros