GP28S50GN3P Todos los transistores

 

GP28S50GN3P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP28S50GN3P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 255 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 104.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1766.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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GP28S50GN3P datasheet

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GP28S50GN3P

GP28S50 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a advanced MOSFET is designed to wi

Otros transistores... FW203 , FW206 , GP28S50XN220 , GP28S50XN220FP , GP28S50XN3P , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 , GP28S50GN220FP , NCEP15T14 , GP28S50GN247 , IPA70R360P7S , IPSA70R360P7S , IRF50N06 , TK80E08K3 , TK150E09NE , TSA9N90M , SIZ728DT .

History: SVSP20N60FJDD2 | PJD5NA80 | IXFT4N100Q | BUK7E5R2-100E | STF8234 | SI3420A | FMH17N60ES

 

 
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