GP28S50GN3P Todos los transistores

 

GP28S50GN3P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP28S50GN3P

Código: GP28S50G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 255 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 28 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 40.7 nC

Tiempo de elevación (tr): 104.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1766.7 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.125 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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GP28S50GN3P Datasheet (PDF)

7.1. gp28s50.pdf Size:495K _champion

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GP28S50POWER FIELD EFFECT TRANSISTORGENERAL DESCRIPTION FEATURESThis high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Terminationscheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specifiedwithout degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to aadvanced MOSFET is designed to wi

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