GP28S50GN3P - описание и поиск аналогов

 

GP28S50GN3P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GP28S50GN3P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 255 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 104.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1766.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для GP28S50GN3P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP28S50GN3P даташит

 7.1. Size:495K  champion
 gp28s50.pdf pdf_icon

GP28S50GN3P

GP28S50 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a advanced MOSFET is designed to wi

Другие MOSFET... FW203 , FW206 , GP28S50XN220 , GP28S50XN220FP , GP28S50XN3P , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 , GP28S50GN220FP , NCEP15T14 , GP28S50GN247 , IPA70R360P7S , IPSA70R360P7S , IRF50N06 , TK80E08K3 , TK150E09NE , TSA9N90M , SIZ728DT .

History: DMG1016V

 

 

 

 

↑ Back to Top
.