IRF50N06 Todos los transistores

 

IRF50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF50N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IRF50N06 Datasheet (PDF)

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IRF50N06

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Otros transistores... GP28S50XN3P , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 , GP28S50GN220FP , GP28S50GN3P , GP28S50GN247 , IPA70R360P7S , IPSA70R360P7S , TK10A60D , TK80E08K3 , TK150E09NE , TSA9N90M , SIZ728DT , SIZ730DT , SIZ790DT , SIZ900DT , SIZ902DT .

History: AP4501CGM-HF | TMA12N50H | 2SK2619 | TK28N65W | HX3415 | IRC640PBF | AP4501GH-HF

 

 
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