IRF50N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF50N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Encapsulados: TO220
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IRF50N06 datasheet
irf50n06.pdf
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Otros transistores... GP28S50XN3P , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 , GP28S50GN220FP , GP28S50GN3P , GP28S50GN247 , IPA70R360P7S , IPSA70R360P7S , TK10A60D , TK80E08K3 , TK150E09NE , TSA9N90M , SIZ728DT , SIZ730DT , SIZ790DT , SIZ900DT , SIZ902DT .
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