IRF50N06 - описание и поиск аналогов

 

IRF50N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IRF50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF50N06 даташит

 ..1. Size:120K  china
 irf50n06.pdf pdf_icon

IRF50N06

3 0 lmnopqrsurvwxwrnwnoxyzq zr x 45367879 8 3 97 67 6!" # $ % &0'& 3 'R % ()*+-./)0112345678()0+9221 2+*;12 +*=033?@A QCE6O5-PS2TB"NUV6S2WUNLESXWY *B>*=*21=?A>E/FE/=A1D2C@2C+G+*1; 2*@)2C +?1=)CA1AG+ AC =A1D21@*A103+H*@=)*1; IJ4 =A1@CA332C+KL@)0+9221AAC3AH;0@2=)0C;2N3AH QZ*;)ACB01=2@C21=)@2=)1A3A;?>AC2[@C2B23?3AH CE6O5-P01 >0+@+H*@=)*1;+

Другие MOSFET... GP28S50XN3P , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 , GP28S50GN220FP , GP28S50GN3P , GP28S50GN247 , IPA70R360P7S , IPSA70R360P7S , TK10A60D , TK80E08K3 , TK150E09NE , TSA9N90M , SIZ728DT , SIZ730DT , SIZ790DT , SIZ900DT , SIZ902DT .

History: MTP45N05E | 4N65G-K08-5060-R | APM2321AC | DMC3021LSD | ELM3C0850A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.