Справочник MOSFET. IRF50N06

 

IRF50N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IRF50N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  china
 irf50n06.pdf pdf_icon

IRF50N06

30lmnopqrsurvwxwrnwnoxyzq{zr{|}x~453678798 3 97 67 6!"# $ % &0'& 3 'R %()*+-./)0112345678()0+9221:2+*;12:+*=033?@A QCE6O5-PS2TB"NUV6S2WUNLESXWY*B>*=*21=?A>E/FE/=A1D2C@2C+G+*1;2*@)2C +?1=)CA1AG+ AC =A1D21@*A103+H*@=)*1; IJ4=A1@CA332C+KL@)0+9221AAC3AH;0@2=)0C;2N3AHQZ*;)ACB01=2@C21=)@2=)1A3A;?>AC2[@C2B23?3AHCE6O5-P01:>0+@+H*@=)*1;+

Другие MOSFET... GP28S50XN3P , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 , GP28S50GN220FP , GP28S50GN3P , GP28S50GN247 , IPA70R360P7S , IPSA70R360P7S , IRFZ24N , TK80E08K3 , TK150E09NE , TSA9N90M , SIZ728DT , SIZ730DT , SIZ790DT , SIZ900DT , SIZ902DT .

History: HYG042N10NS1B | 2N6661M1A | DH012N03P | ZVP4525Z | NCE65TF180 | STD12NF06LT4 | NCE65N680K

 

 
Back to Top

 


 
.