Справочник MOSFET. IRF50N06

 

IRF50N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   trⓘ - Время нарастания: 91 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IRF50N06

 

 

IRF50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  china
 irf50n06.pdf

IRF50N06 IRF50N06

30lmnopqrsurvwxwrnwnoxyzq{zr{|}x~453678798 3 97 67 6!"# $ % &0'& 3 'R %()*+-./)0112345678()0+9221:2+*;12:+*=033?@A QCE6O5-PS2TB"NUV6S2WUNLESXWY*B>*=*21=?A>E/FE/=A1D2C@2C+G+*1;2*@)2C +?1=)CA1AG+ AC =A1D21@*A103+H*@=)*1; IJ4=A1@CA332C+KL@)0+9221AAC3AH;0@2=)0C;2N3AHQZ*;)ACB01=2@C21=)@2=)1A3A;?>AC2[@C2B23?3AHCE6O5-P01:>0+@+H*@=)*1;+

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRF6217PBF-1

 

 
Back to Top