TK80E08K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK80E08K3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Encapsulados: TO220AB
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TK80E08K3 datasheet
tk80e08k3.pdf
Target Specification TK80E08K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TK80E08K3 E-Bike/UPS/Inverter Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 7.5 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 135 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
tk80e06k3a.pdf
TK80E06K3A MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK80E06K3A TK80E06K3A TK80E06K3A TK80E06K3A 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) (3) Enhancement mo
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