TK80E08K3 - описание и поиск аналогов

 

TK80E08K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK80E08K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для TK80E08K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK80E08K3 даташит

 ..1. Size:179K  toshiba
 tk80e08k3.pdf pdf_icon

TK80E08K3

Target Specification TK80E08K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TK80E08K3 E-Bike/UPS/Inverter Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 7.5 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 135 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

 8.1. Size:235K  toshiba
 tk80e06k3a.pdf pdf_icon

TK80E08K3

TK80E06K3A MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK80E06K3A TK80E06K3A TK80E06K3A TK80E06K3A 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) (3) Enhancement mo

Другие MOSFET... GP28S50XN247 , GP28S50GN220 , GP28S50GN220FP , GP28S50GN3P , GP28S50GN247 , IPA70R360P7S , IPSA70R360P7S , IRF50N06 , AO4407 , TK150E09NE , TSA9N90M , SIZ728DT , SIZ730DT , SIZ790DT , SIZ900DT , SIZ902DT , SIZ904DT .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.