TK150E09NE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK150E09NE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 81 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK150E09NE
TK150E09NE Datasheet (PDF)
tk150e09ne.pdf
TK150E09NE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS-H) TK150E09NE Unit: mm10.20.3 3.70.1 1.270.1 E-Bike A Low drain-source ON resistance : R = 3.6 m (typ.) (V = 10 V) DS (ON) GS Low leakage current : I = 10 A (max) (V = 85 V) DSS DS Enhancement mode : V = 2.5~4.5 V (V = 10 V, I = 1.0 mA) th DS DAbsolute Maximum Ratin
tk150f04k3.pdf
TK150F04K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV) TK150F04K3 Swiching Regulator, DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7m (typ.) 10.0 0.3 High forward transfer admittance: |Yfs| = 210 S (typ.) 0.4 0.19.5 0.2 Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS
ixtk150n15p ixtq150n15p.pdf
IXTK 150N15PPolarHTTMVDSS = 150 VIXTQ 150N15PPower MOSFETID25 = 150 A RDS(on) 13 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 VGD (TAB)VGS Continuous 20 VDSVGSM Transient 30 VID25 TC = 25
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Liste
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