TK150E09NE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK150E09NE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 85 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 150 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 1300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для TK150E09NE
TK150E09NE Datasheet (PDF)
tk150e09ne.pdf
TK150E09NE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS-H) TK150E09NE Unit: mm10.20.3 3.70.1 1.270.1 E-Bike A Low drain-source ON resistance : R = 3.6 m (typ.) (V = 10 V) DS (ON) GS Low leakage current : I = 10 A (max) (V = 85 V) DSS DS Enhancement mode : V = 2.5~4.5 V (V = 10 V, I = 1.0 mA) th DS DAbsolute Maximum Ratin
tk150f04k3.pdf
TK150F04K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV) TK150F04K3 Swiching Regulator, DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7m (typ.) 10.0 0.3 High forward transfer admittance: |Yfs| = 210 S (typ.) 0.4 0.19.5 0.2 Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS
ixtk150n15p ixtq150n15p.pdf
IXTK 150N15PPolarHTTMVDSS = 150 VIXTQ 150N15PPower MOSFETID25 = 150 A RDS(on) 13 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 VGD (TAB)VGS Continuous 20 VDSVGSM Transient 30 VID25 TC = 25
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
