TSA9N90M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSA9N90M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 130 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 52 nC
Tiempo de subida (tr): 120 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 175 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSA9N90M
TSA9N90M Datasheet (PDF)
tsa9n90m.pdf
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TSA9N90M 900V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 9.0A,900V,Max.RDS(on)=1.40 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and
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