TSA9N90M Todos los transistores

 

TSA9N90M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSA9N90M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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TSA9N90M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:751K  truesemi
 tsa9n90m.pdf pdf_icon

TSA9N90M

TSA9N90M 900V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 9.0A,900V,Max.RDS(on)=1.40 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

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History: IRF3205ZS | 2SK1340 | AP3P7R0EP | LS4119 | APT50M85B2VR | IPB025N10N3G | VS3645GA

 

 
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