Справочник MOSFET. TSA9N90M

 

TSA9N90M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSA9N90M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для TSA9N90M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSA9N90M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:751K  truesemi
 tsa9n90m.pdf pdf_icon

TSA9N90M

TSA9N90M 900V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 9.0A,900V,Max.RDS(on)=1.40 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

Другие MOSFET... GP28S50GN220FP , GP28S50GN3P , GP28S50GN247 , IPA70R360P7S , IPSA70R360P7S , IRF50N06 , TK80E08K3 , TK150E09NE , 10N65 , SIZ728DT , SIZ730DT , SIZ790DT , SIZ900DT , SIZ902DT , SIZ904DT , SIZ910DT , SIZ914DT .

History: IRFL014PBF | IRHQ9110

 

 
Back to Top

 


 
.