RFG40N10LE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFG40N10LE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO247

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RFG40N10LE datasheet

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RFG40N10LE

RFG40N10LE, RFP40N10LE, RF1S40N10LESM Data Sheet October 1999 File Number 4061.5 40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level Features N-Channel Power MOSFETs 40A, 100V These N-Channel enhancement mode power MOSFETs are rDS(ON) = 0.040 manufactured using the latest manufacturing process Temperature Compensating PSPICE Model technology. This process, which uses feature sizes appr

 6.1. Size:369K  fairchild semi
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RFG40N10LE

RFG40N10, RFP40N10, RF1S40N10, RF1S40N10SM Data Sheet January 2002 40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power Features MOSFETs 40A, 100V These are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.040 the MegaFET process. This process, which uses feature UIS Rating Curve sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulti

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