RFG40N10LE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFG40N10LE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для RFG40N10LE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFG40N10LE даташит

 ..1. Size:410K  intersil
 rfg40n10le rfp40n10le rf1s40n10lesm.pdf pdf_icon

RFG40N10LE

RFG40N10LE, RFP40N10LE, RF1S40N10LESM Data Sheet October 1999 File Number 4061.5 40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level Features N-Channel Power MOSFETs 40A, 100V These N-Channel enhancement mode power MOSFETs are rDS(ON) = 0.040 manufactured using the latest manufacturing process Temperature Compensating PSPICE Model technology. This process, which uses feature sizes appr

 6.1. Size:369K  fairchild semi
 rfg40n10 rfp40n10 rf1s40n10-sm.pdf pdf_icon

RFG40N10LE

RFG40N10, RFP40N10, RF1S40N10, RF1S40N10SM Data Sheet January 2002 40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power Features MOSFETs 40A, 100V These are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.040 the MegaFET process. This process, which uses feature UIS Rating Curve sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulti

Другие IGBT... RFD8P06ESM, RFD8P06LE, RFD8P06LESM, RFF60P06, RFF70N06, RFG30P05, RFG30P06, RFG40N10, IRFP250N, RFG45N06, RFG45N06LE, RFG50N05L, RFG50N06, RFG50N06LE, RFG60P03, RFG60P05E, RFG60P06E