SIZ728DT Todos los transistores

 

SIZ728DT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIZ728DT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0077 Ohm

Encapsulados: POWERPAIR6X3.7

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SIZ728DT datasheet

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SIZ728DT

New Product SiZ728DT Vishay Siliconix N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFETs 0.0077 at VGS = 10 V 16a 100 % Rg and UIS Tested Channel-1 25 8.1 nC 0.0110 at VGS = 4.5 V 16a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0035 at VGS =

Otros transistores... GP28S50GN3P , GP28S50GN247 , IPA70R360P7S , IPSA70R360P7S , IRF50N06 , TK80E08K3 , TK150E09NE , TSA9N90M , IRFP250 , SIZ730DT , SIZ790DT , SIZ900DT , SIZ902DT , SIZ904DT , SIZ910DT , SIZ914DT , SIZ916DT .

History: BS170ZL1G | KF19N20D | SI1302DL | ELM34803AA-N | BS170RLRA

 

 

 

 

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