Справочник MOSFET. SIZ728DT

 

SIZ728DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIZ728DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAIR6X3.7
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ728DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  vishay
 siz728dt.pdf pdf_icon

SIZ728DT

New ProductSiZ728DTVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFETs0.0077 at VGS = 10 V 16a 100 % Rg and UIS TestedChannel-1 25 8.1 nC0.0110 at VGS = 4.5 V 16a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0035 at VGS =

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SWMN12N65DA | 2SK2424 | 2SK4108 | CM20N50P | P0908ATF | JCS2N60MB | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.