SIZ730DT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIZ730DT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm
Encapsulados: POWERPAIR6X3.7
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SIZ730DT datasheet
siz730dt.pdf
New Product SiZ730DT Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0093 at VGS = 10 V 16a TrenchFET Power MOSFETs Channel-1 30 7.7 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0130 at VGS = 4.5 V 16a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0039 at VGS
Otros transistores... GP28S50GN247 , IPA70R360P7S , IPSA70R360P7S , IRF50N06 , TK80E08K3 , TK150E09NE , TSA9N90M , SIZ728DT , IRF1407 , SIZ790DT , SIZ900DT , SIZ902DT , SIZ904DT , SIZ910DT , SIZ914DT , SIZ916DT , SIZ918DT .
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