Справочник MOSFET. SIZ730DT

 

SIZ730DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIZ730DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAIR6X3.7
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ730DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  vishay
 siz730dt.pdf pdf_icon

SIZ730DT

New ProductSiZ730DTVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0093 at VGS = 10 V 16a TrenchFET Power MOSFETsChannel-1 30 7.7 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0130 at VGS = 4.5 V 16a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0039 at VGS

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.