Справочник MOSFET. SIZ730DT

 

SIZ730DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIZ730DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAIR6X3.7
 

 Аналог (замена) для SIZ730DT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ730DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  vishay
 siz730dt.pdf pdf_icon

SIZ730DT

New ProductSiZ730DTVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0093 at VGS = 10 V 16a TrenchFET Power MOSFETsChannel-1 30 7.7 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0130 at VGS = 4.5 V 16a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0039 at VGS

Другие MOSFET... GP28S50GN247 , IPA70R360P7S , IPSA70R360P7S , IRF50N06 , TK80E08K3 , TK150E09NE , TSA9N90M , SIZ728DT , P0903BDG , SIZ790DT , SIZ900DT , SIZ902DT , SIZ904DT , SIZ910DT , SIZ914DT , SIZ916DT , SIZ918DT .

History: MTE050N15BRV8 | IRF5805TRPBF | NCEP036N10MSL

 

 
Back to Top

 


 
.