RFG45N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFG45N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 131 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TO247

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RFG45N06 datasheet

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RFG45N06

RFG45N06, RFP45N06, RF1S45N06SM Data Sheet January 2002 45A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power Features MOSFETs 45A, 60V These are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.028 power field effect transistors. They are advanced power Temperature Compensating PSPICE Model MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the

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RFG45N06

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