Справочник MOSFET. RFG45N06

 

RFG45N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFG45N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RFG45N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  fairchild semi
 rfg45n06 rfp45n06 rf1s45n06sm.pdf pdf_icon

RFG45N06

RFG45N06, RFP45N06, RF1S45N06SMData Sheet January 200245A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 45A, 60VThese are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.028power field effect transistors. They are advanced power Temperature Compensating PSPICE ModelMOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the

 0.1. Size:415K  1
 rfg45n06le rfp45n06le rf1s45n06le rf1s45n06lesm.pdf pdf_icon

RFG45N06

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CS7N80A8 | SQJ460AEP | JCS6N90CH | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.