RFG45N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFG45N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для RFG45N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFG45N06 даташит

 ..1. Size:372K  fairchild semi
 rfg45n06 rfp45n06 rf1s45n06sm.pdf pdf_icon

RFG45N06

RFG45N06, RFP45N06, RF1S45N06SM Data Sheet January 2002 45A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power Features MOSFETs 45A, 60V These are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.028 power field effect transistors. They are advanced power Temperature Compensating PSPICE Model MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the

 0.1. Size:415K  1
 rfg45n06le rfp45n06le rf1s45n06le rf1s45n06lesm.pdf pdf_icon

RFG45N06

Другие IGBT... RFD8P06LE, RFD8P06LESM, RFF60P06, RFF70N06, RFG30P05, RFG30P06, RFG40N10, RFG40N10LE, IRF630, RFG45N06LE, RFG50N05L, RFG50N06, RFG50N06LE, RFG60P03, RFG60P05E, RFG60P06E, RFG70N06