RFG45N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RFG45N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для RFG45N06
RFG45N06 Datasheet (PDF)
rfg45n06 rfp45n06 rf1s45n06sm.pdf
RFG45N06, RFP45N06, RF1S45N06SMData Sheet January 200245A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 45A, 60VThese are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.028power field effect transistors. They are advanced power Temperature Compensating PSPICE ModelMOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the
Другие MOSFET... RFD8P06LE , RFD8P06LESM , RFF60P06 , RFF70N06 , RFG30P05 , RFG30P06 , RFG40N10 , RFG40N10LE , 7N65 , RFG45N06LE , RFG50N05L , RFG50N06 , RFG50N06LE , RFG60P03 , RFG60P05E , RFG60P06E , RFG70N06 .
History: 2SJ553L | AFN8205 | HFP6N70U | RJK1206JPD | AFP4535 | ECH8302 | SIE804DF
History: 2SJ553L | AFN8205 | HFP6N70U | RJK1206JPD | AFP4535 | ECH8302 | SIE804DF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372