SIZ920DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIZ920DT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0071 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAIR6X5

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SIZ920DT Datasheet (PDF)

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siz920dt.pdf

New Product SiZ920DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0071 at VGS = 10 V 40a Material categorization:Channel-1 30 10.5 nCFor definitions of compliance please see0.0089 at VGS = 4.5 V 40awww.vishay.com/doc?999120.0030

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Liste

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