SIZ920DT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIZ920DT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0071 Ohm
Encapsulados: POWERPAIR6X5
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SIZ920DT datasheet
siz920dt.pdf
New Product SiZ920DT Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0071 at VGS = 10 V 40a Material categorization Channel-1 30 10.5 nC For definitions of compliance please see 0.0089 at VGS = 4.5 V 40a www.vishay.com/doc?99912 0.0030
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History: TK6P60W | IXFM14N80 | TK6A80E
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Liste
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