Справочник MOSFET. SIZ920DT

 

SIZ920DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIZ920DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAIR6X5
 

 Аналог (замена) для SIZ920DT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ920DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  vishay
 siz920dt.pdf pdf_icon

SIZ920DT

New Product SiZ920DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0071 at VGS = 10 V 40a Material categorization:Channel-1 30 10.5 nCFor definitions of compliance please see0.0089 at VGS = 4.5 V 40awww.vishay.com/doc?999120.0030

Другие MOSFET... SIZ790DT , SIZ900DT , SIZ902DT , SIZ904DT , SIZ910DT , SIZ914DT , SIZ916DT , SIZ918DT , CS150N03A8 , SK830321 , SK840303 , SK840316 , SK840317 , SK840318 , SK840319 , SK840320 , SK860314 .

History: NP90N03VUG | HSCB3010 | RAQ045P01

 

 
Back to Top

 


 
.