SIZ920DT - описание и поиск аналогов

 

SIZ920DT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIZ920DT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm

Тип корпуса: POWERPAIR6X5

Аналог (замена) для SIZ920DT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ920DT даташит

 ..1. Size:207K  vishay
 siz920dt.pdf pdf_icon

SIZ920DT

New Product SiZ920DT Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0071 at VGS = 10 V 40a Material categorization Channel-1 30 10.5 nC For definitions of compliance please see 0.0089 at VGS = 4.5 V 40a www.vishay.com/doc?99912 0.0030

Другие MOSFET... SIZ790DT , SIZ900DT , SIZ902DT , SIZ904DT , SIZ910DT , SIZ914DT , SIZ916DT , SIZ918DT , IRF520 , SK830321 , SK840303 , SK840316 , SK840317 , SK840318 , SK840319 , SK840320 , SK860314 .

History: STW8NK80Z

 

 

 

 

↑ Back to Top
.