RFG45N06LE Todos los transistores

 

 

RFG45N06LE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFG45N06LE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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RFG45N06LE Datasheet (PDF)

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RFG45N06LE

 6.1. Size:372K  fairchild semi
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RFG45N06LE

RFG45N06, RFP45N06, RF1S45N06SMData Sheet January 200245A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 45A, 60VThese are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.028power field effect transistors. They are advanced power Temperature Compensating PSPICE ModelMOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the

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History: FRM234R | PJD2NA60 | PHT2NQ10T | PH955L | FQB17N08LTM | JS65R170SM

 

 
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