Справочник MOSFET. RFG45N06LE

 

RFG45N06LE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFG45N06LE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для RFG45N06LE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFG45N06LE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  1
 rfg45n06le rfp45n06le rf1s45n06le rf1s45n06lesm.pdf pdf_icon

RFG45N06LE

 6.1. Size:372K  fairchild semi
 rfg45n06 rfp45n06 rf1s45n06sm.pdf pdf_icon

RFG45N06LE

RFG45N06, RFP45N06, RF1S45N06SMData Sheet January 200245A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 45A, 60VThese are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.028power field effect transistors. They are advanced power Temperature Compensating PSPICE ModelMOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the

Другие MOSFET... RFD8P06LESM , RFF60P06 , RFF70N06 , RFG30P05 , RFG30P06 , RFG40N10 , RFG40N10LE , RFG45N06 , K3569 , RFG50N05L , RFG50N06 , RFG50N06LE , RFG60P03 , RFG60P05E , RFG60P06E , RFG70N06 , RFG75N05E .

History: DH100P30AI | 2SK3634-Z | CHM62A3PAGP | DMG4N60SJ3 | AON5820 | 2SK1736 | S40N14R

 

 
Back to Top

 


 
.