SKI06106 Todos los transistores

 

SKI06106 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKI06106

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 90 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 57 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 36.2 nC

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 280 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0092 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

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SKI06106 Datasheet (PDF)

1.1. ski06106.pdf Size:235K _update-mosfet

SKI06106
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60 V, 57 A, 7.0 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI06106 Features Package TO-263  V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 µA)  ID ---------------------------------------------------------- 57 A (4) D  RDS(ON) ---------- 9.2 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 28.5 A)  Qg ------16.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 28.5 A)  Low Total Gate

5.1. ski06048.pdf Size:235K _update-mosfet

SKI06106
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60 V, 85 A, 3.9 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI06048 Features Package TO-263  V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 µA)  ID ---------------------------------------------------------- 85 A (4) D  RDS(ON) ---------- 4.9 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 55.0 A)  Qg ------44.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 55.0 A)  Low Total Gate

5.2. ski06073.pdf Size:235K _update-mosfet

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60 V, 78 A, 5.1 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI06073 Features Package TO-263  V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 µA)  ID ---------------------------------------------------------- 78 A (4) D  RDS(ON) ---------- 6.6 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 39.0 A)  Qg ------26.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 39.0 A)  Low Total Gate

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