SW1N55D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SW1N55D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SW1N55D
SW1N55D Datasheet (PDF)
sw1n55d.pdf
SAMWIN SW1N55D N-channel IPAK MOSFET TO-251 Features BVDSS : 550V ID : 1A High ruggedness RDS(ON) (Max6.5)@VGS=10V RDS(ON) :6.5 Gate Charge (Typical 7nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN. 3
ssw1n50a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 5.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 1.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 4.046 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch
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Liste
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