SW1N55D Todos los transistores

 

SW1N55D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SW1N55D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

 Búsqueda de reemplazo de SW1N55D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SW1N55D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  samwin
 sw1n55d.pdf pdf_icon

SW1N55D

SAMWIN SW1N55D N-channel IPAK MOSFET TO-251 Features BVDSS : 550V ID : 1A High ruggedness RDS(ON) (Max6.5)@VGS=10V RDS(ON) :6.5 Gate Charge (Typical 7nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN. 3

 9.1. Size:293K  1
 ssi1n50a ssw1n50a.pdf pdf_icon

SW1N55D

 9.2. Size:503K  samsung
 ssw1n50a.pdf pdf_icon

SW1N55D

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 5.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 1.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 4.046 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch

Otros transistores... SKI06073 , SKI06106 , SKI07074 , SKI07114 , SKI07171 , SKI10123 , SKI10195 , SKI10297 , IRF740 , AON7430L , AP9915H , AP9915J , FHP730 , FIR120N055PG , FTP16N06B , HY4008W , HY4008A .

History: IRFH5255 | AM7416NA | NVBGS6D5N15MC | STF33N60DM6 | AUIRLR3114Z | CMU5941 | HPM3401

 

 
Back to Top

 


 
.