SW1N55D Todos los transistores

 

SW1N55D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SW1N55D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 77.1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 550 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 7 nC

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 6.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-251

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SW1N55D Datasheet (PDF)

1.1. sw1n55d.pdf Size:511K _update-mosfet

SW1N55D
SW1N55D

SAMWIN SW1N55D N-channel IPAK MOSFET TO-251 Features BVDSS : 550V ID : 1A ■ High ruggedness ■ RDS(ON) (Max6.5Ω)@VGS=10V RDS(ON) :6.5Ω ■ Gate Charge (Typical 7nC) ■ Improved dv/dt Capability ■ 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN. 3

5.1. ssw1n50a.pdf Size:503K _samsung

SW1N55D
SW1N55D

 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology Ω RDS(on) = 5.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 1.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ VDS = 500V 2 Lower RDS(ON) : 4.046 Ω (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Ch

Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , BUZ90A , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
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