SW1N55D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SW1N55D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de SW1N55D MOSFET
SW1N55D PDF Specs
sw1n55d.pdf
SAMWIN SW1N55D N-channel IPAK MOSFET TO-251 Features BVDSS 550V ID 1A High ruggedness RDS(ON) (Max6.5 )@VGS=10V RDS(ON) 6.5 Gate Charge (Typical 7nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN. 3... See More ⇒
ssw1n50a.pdf
Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 5.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 1.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V 2 Lower RDS(ON) 4.046 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Ch... See More ⇒
Otros transistores... SKI06073 , SKI06106 , SKI07074 , SKI07114 , SKI07171 , SKI10123 , SKI10195 , SKI10297 , IRF740 , AON7430L , AP9915H , AP9915J , FHP730 , FIR120N055PG , FTP16N06B , HY4008W , HY4008A .
History: BSB165N15NZ3G | 2N60A
History: BSB165N15NZ3G | 2N60A
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP50N04Q | AP50N04K | AP50N04GD | AP5040QD | AP4946S | AP4847 | AP4846 | AP4813K | AP4812S | AP4812 | AP40P05 | AP40P04Q | AP40P04K | AP40P04G | AP40N100LK | AP40N100K
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