Справочник MOSFET. SW1N55D

 

SW1N55D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SW1N55D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для SW1N55D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SW1N55D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  samwin
 sw1n55d.pdf pdf_icon

SW1N55D

SAMWIN SW1N55D N-channel IPAK MOSFET TO-251 Features BVDSS : 550V ID : 1A High ruggedness RDS(ON) (Max6.5)@VGS=10V RDS(ON) :6.5 Gate Charge (Typical 7nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN. 3

 9.1. Size:293K  1
 ssi1n50a ssw1n50a.pdf pdf_icon

SW1N55D

 9.2. Size:503K  samsung
 ssw1n50a.pdf pdf_icon

SW1N55D

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 5.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 1.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 4.046 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch

Другие MOSFET... SKI06073 , SKI06106 , SKI07074 , SKI07114 , SKI07171 , SKI10123 , SKI10195 , SKI10297 , IRF740 , AON7430L , AP9915H , AP9915J , FHP730 , FIR120N055PG , FTP16N06B , HY4008W , HY4008A .

History: IXTK20N150 | ELM16400EA | NCE65N460 | HM2302E | AON6410 | 2SK1098-M | 2SK240

 

 
Back to Top

 


 
.