Справочник MOSFET. SW1N55D

 

SW1N55D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SW1N55D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 77.1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 550 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 7 nC

Время нарастания (tr): 20 ns

Выходная емкость (Cd): 30 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для SW1N55D

 

 

SW1N55D Datasheet (PDF)

1.1. sw1n55d.pdf Size:511K _update-mosfet

SW1N55D
SW1N55D

SAMWIN SW1N55D N-channel IPAK MOSFET TO-251 Features BVDSS : 550V ID : 1A ■ High ruggedness ■ RDS(ON) (Max6.5Ω)@VGS=10V RDS(ON) :6.5Ω ■ Gate Charge (Typical 7nC) ■ Improved dv/dt Capability ■ 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN. 3

5.1. ssw1n50a.pdf Size:503K _samsung

SW1N55D
SW1N55D

 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology Ω RDS(on) = 5.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 1.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ VDS = 500V 2 Lower RDS(ON) : 4.046 Ω (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Ch

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top