SE6880 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE6880
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Encapsulados: TO263 TO220 TO252
Búsqueda de reemplazo de SE6880 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SE6880 datasheet
se6880.pdf
Oct 2014 SE6880 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent RDS(ON) with low gate VDS = 68V charge. RDS(ON) = 7m @ VGS=10V High density cell design for ultra low R DS(ON) Excellent package for good heat dissipation Pin configurations See
se6880.pdf
Oct 2014 SE6880 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent RDS(ON) with low gate VDS = 68V charge. RDS(ON) = 7m @ VGS=10V High density cell design for ultra low R DS(ON) Excellent package for good heat dissipation Pin configurations See
se6880a.pdf
SE6880A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low V =70V DS operation voltage. This device is suitable for R =6.3m @V =10V DS(ON) GS using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline
Otros transistores... ITA08N65R , ME15N10G , MMF80R650P , NCE65T130D , NCE65T130 , NCE65T130F , NCEP60T12A , NTMFS4955N , 10N60 , SW50N06 , 2SK3642-ZK , BUZ384 , EMA09N03AN , FQB60N03L , FTP540 , MT4953 , NDP06N60Z .
History: WMM10N65C4 | WML25N65EM
History: WMM10N65C4 | WML25N65EM
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet
