RFG60P03 Todos los transistores

 

RFG60P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFG60P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de RFG60P03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RFG60P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  harris semi
 rfg60p03 rfp60p03 rf1s60p03-sm.pdf pdf_icon

RFG60P03

 7.1. Size:105K  fairchild semi
 rfg60p06e.pdf pdf_icon

RFG60P03

RFG60P06EData Sheet January 200260A, 60V, 0.030 Ohm, ESD Rated, FeaturesP-Channel Power MOSFET 60A, 60VThe RFG60P06E P-Channel power MOSFET is rDS(ON) = 0.030manufactured using the MegaFET process. This process, Temperature Compensating PSPICE Modelwhich uses feature sizes approaching those of LSI circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in ou

 7.2. Size:133K  fairchild semi
 rfg60p05e.pdf pdf_icon

RFG60P03

RFG60P05EData Sheet January 200260A, 50V, 0.030 Ohm, ESD Rated, FeaturesP-Channel Power MOSFET 60A, 50VThis is a P-Channel power MOSFET manufactured using the rDS(ON) = 0.030MegaFET process. This process, which uses feature sizes Temperature Compensating PSPICE Modelapproaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstand

Otros transistores... RFG30P06 , RFG40N10 , RFG40N10LE , RFG45N06 , RFG45N06LE , RFG50N05L , RFG50N06 , RFG50N06LE , K4145 , RFG60P05E , RFG60P06E , RFG70N06 , RFG75N05E , RFL1N10L , RFP10P03L , RFP12N06RLE , RFP12N10L .

History: HGP068N15S | ELM17408GA

 

 
Back to Top

 


 
.