RFG60P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFG60P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для RFG60P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFG60P03 даташит

 ..1. Size:103K  harris semi
 rfg60p03 rfp60p03 rf1s60p03-sm.pdf pdf_icon

RFG60P03

 7.1. Size:105K  fairchild semi
 rfg60p06e.pdf pdf_icon

RFG60P03

RFG60P06E Data Sheet January 2002 60A, 60V, 0.030 Ohm, ESD Rated, Features P-Channel Power MOSFET 60A, 60V The RFG60P06E P-Channel power MOSFET is rDS(ON) = 0.030 manufactured using the MegaFET process. This process, Temperature Compensating PSPICE Model which uses feature sizes approaching those of LSI circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in ou

 7.2. Size:133K  fairchild semi
 rfg60p05e.pdf pdf_icon

RFG60P03

RFG60P05E Data Sheet January 2002 60A, 50V, 0.030 Ohm, ESD Rated, Features P-Channel Power MOSFET 60A, 50V This is a P-Channel power MOSFET manufactured using the rDS(ON) = 0.030 MegaFET process. This process, which uses feature sizes Temperature Compensating PSPICE Model approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstand

Другие IGBT... RFG30P06, RFG40N10, RFG40N10LE, RFG45N06, RFG45N06LE, RFG50N05L, RFG50N06, RFG50N06LE, 2N7002, RFG60P05E, RFG60P06E, RFG70N06, RFG75N05E, RFL1N10L, RFP10P03L, RFP12N06RLE, RFP12N10L