EMA09N03AN Todos los transistores

 

EMA09N03AN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMA09N03AN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO252

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EMA09N03AN datasheet

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EMA09N03AN

EMA09N03AN N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 25V RDSON (MAX.) 9m ID 50A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 20

Otros transistores... NCE65T130 , NCE65T130F , NCEP60T12A , NTMFS4955N , SE6880 , SW50N06 , 2SK3642-ZK , BUZ384 , P55NF06 , FQB60N03L , FTP540 , MT4953 , NDP06N60Z , NTMFS4C09N , RU7588R3 , SMP40N10 , SWP30N06 .

History: AP4523GM | 2SK1067 | VS6880AT | NCE60H10F | AO4916L | VS6016HS-A | ST2341S23R

 

 

 

 

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