EMA09N03AN - описание и поиск аналогов

 

EMA09N03AN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMA09N03AN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для EMA09N03AN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMA09N03AN даташит

 ..1. Size:229K  china
 ema09n03an.pdf pdf_icon

EMA09N03AN

EMA09N03AN N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 25V RDSON (MAX.) 9m ID 50A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 20

Другие MOSFET... NCE65T130 , NCE65T130F , NCEP60T12A , NTMFS4955N , SE6880 , SW50N06 , 2SK3642-ZK , BUZ384 , P55NF06 , FQB60N03L , FTP540 , MT4953 , NDP06N60Z , NTMFS4C09N , RU7588R3 , SMP40N10 , SWP30N06 .

History: 2SK293 | SMK0825FC | SM6012NSUB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.