EMA09N03AN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: EMA09N03AN
Маркировка: A09N03N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 270 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для EMA09N03AN
EMA09N03AN Datasheet (PDF)
ema09n03an.pdf
EMA09N03ANNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS25VRDSON(MAX.)9mID50AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RUQ4040M2 | RUH85350T | RUH85230S | RUH85210R | RUH85150R | RUH85120S | RUH85120M-C | RUH85100M-C | RUH60D60M | RUH6080R | RUH6080M3-C | RUH60120M | RUH60120L | RUH40E12C | RUH40D40M | RUH4040M3