Справочник MOSFET. EMA09N03AN

 

EMA09N03AN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMA09N03AN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для EMA09N03AN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMA09N03AN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  china
 ema09n03an.pdf pdf_icon

EMA09N03AN

EMA09N03ANNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS25VRDSON(MAX.)9mID50AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20

Другие MOSFET... NCE65T130 , NCE65T130F , NCEP60T12A , NTMFS4955N , SE6880 , SW50N06 , 2SK3642-ZK , BUZ384 , IRFB4115 , FQB60N03L , FTP540 , MT4953 , NDP06N60Z , NTMFS4C09N , RU7588R3 , SMP40N10 , SWP30N06 .

History: WMK18N65EM | RU1H150R | FCPF20N60 | FDMS8090 | FDB2532-F085 | WMN10N65C4 | IPP147N12N3

 

 
Back to Top

 


 
.