FQB60N03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQB60N03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 62 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 16 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 51 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 25 nC
   Tiempo de subida (tr): 60 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 800 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQB60N03L

FQB60N03L Datasheet (PDF)

..1. Size:183K fairchild semi
fqb60n03l.pdf

October 2002FQB60N03LN-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFETGeneral Description FeaturesThis device employs a new advanced MOSFET technology Fast switchingand features low gate charge while maintaining low on- rDS(ON) = 0.010 (Typ), VGS = 10Vresistance. rDS(ON) = 0.017 (Typ), VGS = 5VOptimized for switching applications, this device improvesthe overa

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: