FQB60N03L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQB60N03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
Encapsulados: TO263
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FQB60N03L datasheet
fqb60n03l.pdf
October 2002 FQB60N03L N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET General Description Features This device employs a new advanced MOSFET technology Fast switching and features low gate charge while maintaining low on- rDS(ON) = 0.010 (Typ), VGS = 10V resistance. rDS(ON) = 0.017 (Typ), VGS = 5V Optimized for switching applications, this device improves the overa
Otros transistores... NCE65T130F , NCEP60T12A , NTMFS4955N , SE6880 , SW50N06 , 2SK3642-ZK , BUZ384 , EMA09N03AN , 8205A , FTP540 , MT4953 , NDP06N60Z , NTMFS4C09N , RU7588R3 , SMP40N10 , SWP30N06 , SWI30N06 .
History: CS2N70A3R1-G | S10H18RP
History: CS2N70A3R1-G | S10H18RP
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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