FQB60N03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQB60N03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de FQB60N03L MOSFET
FQB60N03L Datasheet (PDF)
fqb60n03l.pdf
October 2002FQB60N03LN-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFETGeneral Description FeaturesThis device employs a new advanced MOSFET technology Fast switchingand features low gate charge while maintaining low on- rDS(ON) = 0.010 (Typ), VGS = 10Vresistance. rDS(ON) = 0.017 (Typ), VGS = 5VOptimized for switching applications, this device improvesthe overa
Otros transistores... NCE65T130F , NCEP60T12A , NTMFS4955N , SE6880 , SW50N06 , 2SK3642-ZK , BUZ384 , EMA09N03AN , 8205A , FTP540 , MT4953 , NDP06N60Z , NTMFS4C09N , RU7588R3 , SMP40N10 , SWP30N06 , SWI30N06 .
History: SGO4606T | STLT19 | FDP150N10
History: SGO4606T | STLT19 | FDP150N10
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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