FQB60N03L Todos los transistores

 

FQB60N03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQB60N03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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FQB60N03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  fairchild semi
 fqb60n03l.pdf pdf_icon

FQB60N03L

October 2002FQB60N03LN-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFETGeneral Description FeaturesThis device employs a new advanced MOSFET technology Fast switchingand features low gate charge while maintaining low on- rDS(ON) = 0.010 (Typ), VGS = 10Vresistance. rDS(ON) = 0.017 (Typ), VGS = 5VOptimized for switching applications, this device improvesthe overa

Otros transistores... NCE65T130F , NCEP60T12A , NTMFS4955N , SE6880 , SW50N06 , 2SK3642-ZK , BUZ384 , EMA09N03AN , 2SK3878 , FTP540 , MT4953 , NDP06N60Z , NTMFS4C09N , RU7588R3 , SMP40N10 , SWP30N06 , SWI30N06 .

History: SVF3N80M | PP1C06AKB | AP65SL130DP | SVG105R4NKL | SI7469DP | STZ150NF55T | PJU4NA60

 

 
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