FQB60N03L - описание и поиск аналогов

 

FQB60N03L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB60N03L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для FQB60N03L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB60N03L даташит

 ..1. Size:183K  fairchild semi
 fqb60n03l.pdf pdf_icon

FQB60N03L

October 2002 FQB60N03L N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET General Description Features This device employs a new advanced MOSFET technology Fast switching and features low gate charge while maintaining low on- rDS(ON) = 0.010 (Typ), VGS = 10V resistance. rDS(ON) = 0.017 (Typ), VGS = 5V Optimized for switching applications, this device improves the overa

Другие MOSFET... NCE65T130F , NCEP60T12A , NTMFS4955N , SE6880 , SW50N06 , 2SK3642-ZK , BUZ384 , EMA09N03AN , 8205A , FTP540 , MT4953 , NDP06N60Z , NTMFS4C09N , RU7588R3 , SMP40N10 , SWP30N06 , SWI30N06 .

History: AP4513GH | 2SK3455B | 2SK846 | 2N90L-TF3-T | 80N08A | J305 | AP4515GM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.