FQB60N03L - аналоги и даташиты транзистора

 

FQB60N03L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FQB60N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для FQB60N03L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB60N03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  fairchild semi
 fqb60n03l.pdf pdf_icon

FQB60N03L

October 2002FQB60N03LN-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFETGeneral Description FeaturesThis device employs a new advanced MOSFET technology Fast switchingand features low gate charge while maintaining low on- rDS(ON) = 0.010 (Typ), VGS = 10Vresistance. rDS(ON) = 0.017 (Typ), VGS = 5VOptimized for switching applications, this device improvesthe overa

Другие MOSFET... NCE65T130F , NCEP60T12A , NTMFS4955N , SE6880 , SW50N06 , 2SK3642-ZK , BUZ384 , EMA09N03AN , IRF630 , FTP540 , MT4953 , NDP06N60Z , NTMFS4C09N , RU7588R3 , SMP40N10 , SWP30N06 , SWI30N06 .

History: TN2106K1-G | S10H18RN | MDS1653URH | IRF8304M | AOD400 | BSC0502NSI | 2SK2755-01

 

 
Back to Top

 


 
.