Справочник MOSFET. FQB60N03L

 

FQB60N03L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQB60N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 51 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
   Время нарастания (tr): 60 ns
   Выходная емкость (Cd): 800 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для FQB60N03L

 

 

FQB60N03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  fairchild semi
 fqb60n03l.pdf

FQB60N03L FQB60N03L

October 2002FQB60N03LN-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFETGeneral Description FeaturesThis device employs a new advanced MOSFET technology Fast switchingand features low gate charge while maintaining low on- rDS(ON) = 0.010 (Typ), VGS = 10Vresistance. rDS(ON) = 0.017 (Typ), VGS = 5VOptimized for switching applications, this device improvesthe overa

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPB034N03L

 

 
Back to Top