SWD30N06 Todos los transistores

 

SWD30N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWD30N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SWD30N06 datasheet

 ..1. Size:400K  samwin
 sw30n06 swp40n10 swi40n10 swd30n06.pdf pdf_icon

SWD30N06

SAMWIN SW30N06 N-channel MOSFET TO-220 TO-251 TO-252 Features BVDSS 60V ID 30A High ruggedness RDS(ON) (Max 0.036 )@VGS=10V RDS(ON) 0.036 ohm Gate Charge (Typ 20nC) 1 2 1 Improved dv/dt Capability 2 1 3 2 3 100% Avalanche Tested 3 2 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description These N-channel enhancement mode power field effect transistors

Otros transistores... FTP540 , MT4953 , NDP06N60Z , NTMFS4C09N , RU7588R3 , SMP40N10 , SWP30N06 , SWI30N06 , IRF9540N , SWP630 , SWF630 , SWD630 , SW1N60A , SW1N60C , SW1N60D , SW1N60E , SW226N .

History: AO4458 | IRF623FI | AP4920GM-HF | GPT09N50D | SL120N03R | 2SK1685 | RU206B

 

 

 

 

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