SWD30N06 Todos los transistores

 

SWD30N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWD30N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SWD30N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  samwin
 sw30n06 swp40n10 swi40n10 swd30n06.pdf pdf_icon

SWD30N06

SAMWIN SW30N06N-channel MOSFETTO-220 TO-251 TO-252FeaturesBVDSS : 60VID : 30A High ruggedness RDS(ON) (Max 0.036 )@VGS=10VRDS(ON) : 0.036 ohm Gate Charge (Typ 20nC)1 21 Improved dv/dt Capability 21 32 3 100% Avalanche Tested3 21. Gate 2. Drain 3. Source1General DescriptionThese N-channel enhancement mode power field effect transistors

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STP33N65M2 | STP55N06L | RFL1N10L

 

 
Back to Top

 


 
.