Справочник MOSFET. SWD30N06

 

SWD30N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWD30N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SWD30N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD30N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  samwin
 sw30n06 swp40n10 swi40n10 swd30n06.pdf pdf_icon

SWD30N06

SAMWIN SW30N06N-channel MOSFETTO-220 TO-251 TO-252FeaturesBVDSS : 60VID : 30A High ruggedness RDS(ON) (Max 0.036 )@VGS=10VRDS(ON) : 0.036 ohm Gate Charge (Typ 20nC)1 21 Improved dv/dt Capability 21 32 3 100% Avalanche Tested3 21. Gate 2. Drain 3. Source1General DescriptionThese N-channel enhancement mode power field effect transistors

Другие MOSFET... FTP540 , MT4953 , NDP06N60Z , NTMFS4C09N , RU7588R3 , SMP40N10 , SWP30N06 , SWI30N06 , IRF1010E , SWP630 , SWF630 , SWD630 , SW1N60A , SW1N60C , SW1N60D , SW1N60E , SW226N .

History: SIZ342DT | IRLU3103PBF | TSA20N50M | SI7110DN | IRL3102SPBF | SRH03P098LMTR-G | SSF80R240SFD

 

 
Back to Top

 


 
.