Справочник MOSFET. SWD30N06

 

SWD30N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWD30N06
   Маркировка: SW30N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SWD30N06

 

 

SWD30N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  samwin
 sw30n06 swp40n10 swi40n10 swd30n06.pdf

SWD30N06 SWD30N06

SAMWIN SW30N06N-channel MOSFETTO-220 TO-251 TO-252FeaturesBVDSS : 60VID : 30A High ruggedness RDS(ON) (Max 0.036 )@VGS=10VRDS(ON) : 0.036 ohm Gate Charge (Typ 20nC)1 21 Improved dv/dt Capability 21 32 3 100% Avalanche Tested3 21. Gate 2. Drain 3. Source1General DescriptionThese N-channel enhancement mode power field effect transistors

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top