SWF630 Todos los transistores

 

SWF630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWF630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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SWF630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:742K  samwin
 sw630 swp630 swf630 swd630.pdf pdf_icon

SWF630

SAMWIN SW630N-channel MOSFETTO-220F TO-220 TO-252FeaturesBVDSS : 200V High ruggednessID : 10A RDS(ON) (Max 0.4 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 20nC)RDS(ON) : 0.4ohm1 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 132 23 321. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description1This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMW

Otros transistores... NDP06N60Z , NTMFS4C09N , RU7588R3 , SMP40N10 , SWP30N06 , SWI30N06 , SWD30N06 , SWP630 , IRLB4132 , SWD630 , SW1N60A , SW1N60C , SW1N60D , SW1N60E , SW226N , SW226NV , SW2N10 .

History: AO3401MI-MS | BSB053N03LPG | JMSH0606PGDQ | AOSX32128 | WMJ36N60C4 | AONP38324

 

 
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