SWF630 Todos los transistores

 

SWF630 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWF630

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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SWF630 datasheet

 ..1. Size:742K  samwin
 sw630 swp630 swf630 swd630.pdf pdf_icon

SWF630

SAMWIN SW630 N-channel MOSFET TO-220F TO-220 TO-252 Features BVDSS 200V High ruggedness ID 10A RDS(ON) (Max 0.4 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 20nC) RDS(ON) 0.4ohm 1 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 3 2 2 3 3 2 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 1 This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMW

Otros transistores... NDP06N60Z , NTMFS4C09N , RU7588R3 , SMP40N10 , SWP30N06 , SWI30N06 , SWD30N06 , SWP630 , IRLB4132 , SWD630 , SW1N60A , SW1N60C , SW1N60D , SW1N60E , SW226N , SW226NV , SW2N10 .

History: 2SK2876-01MR | NCEP1520K | NCE60H10F | VS6880AT | STD36NH02L | AO4916L | CS4N65A4R

 

 

 

 

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