SWF630 - описание и поиск аналогов

 

SWF630. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF630

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SWF630

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF630 даташит

 ..1. Size:742K  samwin
 sw630 swp630 swf630 swd630.pdf pdf_icon

SWF630

SAMWIN SW630 N-channel MOSFET TO-220F TO-220 TO-252 Features BVDSS 200V High ruggedness ID 10A RDS(ON) (Max 0.4 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 20nC) RDS(ON) 0.4ohm 1 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 3 2 2 3 3 2 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 1 This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMW

Другие MOSFET... NDP06N60Z , NTMFS4C09N , RU7588R3 , SMP40N10 , SWP30N06 , SWI30N06 , SWD30N06 , SWP630 , IRLB4132 , SWD630 , SW1N60A , SW1N60C , SW1N60D , SW1N60E , SW226N , SW226NV , SW2N10 .

History: SMK0825FC | 2SK293 | SM6012NSUB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.