Справочник MOSFET. SWF630

 

SWF630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWF630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для SWF630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:742K  samwin
 sw630 swp630 swf630 swd630.pdf pdf_icon

SWF630

SAMWIN SW630N-channel MOSFETTO-220F TO-220 TO-252FeaturesBVDSS : 200V High ruggednessID : 10A RDS(ON) (Max 0.4 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 20nC)RDS(ON) : 0.4ohm1 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 132 23 321. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description1This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMW

Другие MOSFET... NDP06N60Z , NTMFS4C09N , RU7588R3 , SMP40N10 , SWP30N06 , SWI30N06 , SWD30N06 , SWP630 , 5N60 , SWD630 , SW1N60A , SW1N60C , SW1N60D , SW1N60E , SW226N , SW226NV , SW2N10 .

History: MTBA6C15J4 | WPM1480 | SMMBFJ310LT3G | NCEP15T18T | P50NF06 | SFP040N100C3

 

 
Back to Top

 


 
.