SW226N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SW226N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 27 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SW226N
SW226N Datasheet (PDF)
sw226n.pdf
SW226NSAMWINN-channel MOSFETTO-251 TO-252BVDSS : 600VFeaturesID : 4.0A High ruggednessRDS(ON) : 2.3ohm RDS(ON) (Max 2.3 )@VGS=10V1 2 Gate Charge (Typical 30nC)123 Improved dv/dt Capability 32 100% Avalanche Tested1. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.
sw226nv.pdf
SW226NVSW226NVSAMWINN-channel MOSFETBVDSS : 600VIPAKDPAKFeaturesID : 4.0A High ruggednessRDS(ON) : 2.5ohm RDS(ON) (Max 2.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 34nC)21 Improved dv/dt Capability 22 13 3 100% Avalanche Tested1. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAM
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
