SW226N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SW226N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SW226N
SW226N Datasheet (PDF)
sw226n.pdf
SW226NSAMWINN-channel MOSFETTO-251 TO-252BVDSS : 600VFeaturesID : 4.0A High ruggednessRDS(ON) : 2.3ohm RDS(ON) (Max 2.3 )@VGS=10V1 2 Gate Charge (Typical 30nC)123 Improved dv/dt Capability 32 100% Avalanche Tested1. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.
sw226nv.pdf
SW226NVSW226NVSAMWINN-channel MOSFETBVDSS : 600VIPAKDPAKFeaturesID : 4.0A High ruggednessRDS(ON) : 2.5ohm RDS(ON) (Max 2.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 34nC)21 Improved dv/dt Capability 22 13 3 100% Avalanche Tested1. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAM
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Liste
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