Справочник MOSFET. SW226N

 

SW226N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SW226N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-251 TO-252
 

 Аналог (замена) для SW226N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SW226N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  samwin
 sw226n.pdf pdf_icon

SW226N

SW226NSAMWINN-channel MOSFETTO-251 TO-252BVDSS : 600VFeaturesID : 4.0A High ruggednessRDS(ON) : 2.3ohm RDS(ON) (Max 2.3 )@VGS=10V1 2 Gate Charge (Typical 30nC)123 Improved dv/dt Capability 32 100% Avalanche Tested1. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.

 0.1. Size:833K  samwin
 sw226nv.pdf pdf_icon

SW226N

SW226NVSW226NVSAMWINN-channel MOSFETBVDSS : 600VIPAKDPAKFeaturesID : 4.0A High ruggednessRDS(ON) : 2.5ohm RDS(ON) (Max 2.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 34nC)21 Improved dv/dt Capability 22 13 3 100% Avalanche Tested1. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAM

Другие MOSFET... SWD30N06 , SWP630 , SWF630 , SWD630 , SW1N60A , SW1N60C , SW1N60D , SW1N60E , IRF9540N , SW226NV , SW2N10 , SW2N60 , SW2N60A1 , SW2N60B , SW2N60D , SW2N65 , SW2N65B .

History: WMO14N65C4 | NTMS4939NR2G

 

 
Back to Top

 


 
.