SW226N - описание и поиск аналогов

 

SW226N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SW226N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для SW226N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SW226N даташит

 ..1. Size:479K  samwin
 sw226n.pdf pdf_icon

SW226N

SW226N SAMWIN N-channel MOSFET TO-251 TO-252 BVDSS 600V Features ID 4.0A High ruggedness RDS(ON) 2.3ohm RDS(ON) (Max 2.3 )@VGS=10V 1 2 Gate Charge (Typical 30nC) 1 2 3 Improved dv/dt Capability 3 2 100% Avalanche Tested 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description 3 This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.

 0.1. Size:833K  samwin
 sw226nv.pdf pdf_icon

SW226N

SW226NV SW226NV SAMWIN N-channel MOSFET BVDSS 600V IPAK DPAK Features ID 4.0A High ruggedness RDS(ON) 2.5ohm RDS(ON) (Max 2.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 34nC) 2 1 Improved dv/dt Capability 2 2 1 3 3 100% Avalanche Tested 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description 3 This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAM

Другие MOSFET... SWD30N06 , SWP630 , SWF630 , SWD630 , SW1N60A , SW1N60C , SW1N60D , SW1N60E , SKD502T , SW226NV , SW2N10 , SW2N60 , SW2N60A1 , SW2N60B , SW2N60D , SW2N65 , SW2N65B .

History: WMN15N65F2 | 2SK1444LS | CS8N60A8D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.