SW2N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SW2N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 15 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 13 nC
   Tiempo de subida (tr): 22 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SW2N10

SW2N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:430K samwin
sw2n10.pdf

SAMWIN SW2N10 N-channel SOT-23 MOSFET SOT-23 Features BVDSS : 100V 3 ID : 2A High ruggedness RDS(ON) (Max0.24)@VGS=10V RDS(ON) :0.24 Gate Charge (Typical 13nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 1. Gate 2. Source 3. Drain 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.

9.1. Size:561K huashuo
hsw2n15.pdf

HSW2N15 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 150 V DSThe HSW2N15 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 380 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 1.4 A DThe HSW2N15 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: