SW2N10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SW2N10  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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SW2N10 datasheet

 ..1. Size:430K  samwin
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SW2N10

SAMWIN SW2N10 N-channel SOT-23 MOSFET SOT-23 Features BVDSS 100V 3 ID 2A High ruggedness RDS(ON) (Max0.24 )@VGS=10V RDS(ON) 0.24 Gate Charge (Typical 13nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 1. Gate 2. Source 3. Drain 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.

 9.1. Size:561K  huashuo
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SW2N10

HSW2N15 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 150 V DS The HSW2N15 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 380 m DS(ON),typ gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 1.4 A D The HSW2N15 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

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