SW2N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

SW2N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SW2N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для SW2N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SW2N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  samwin
 sw2n10.pdf pdf_icon

SW2N10

SAMWIN SW2N10 N-channel SOT-23 MOSFET SOT-23 Features BVDSS : 100V 3 ID : 2A High ruggedness RDS(ON) (Max0.24)@VGS=10V RDS(ON) :0.24 Gate Charge (Typical 13nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 1. Gate 2. Source 3. Drain 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.

 9.1. Size:561K  huashuo
 hsw2n15.pdf pdf_icon

SW2N10

HSW2N15 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 150 V DSThe HSW2N15 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 380 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 1.4 A DThe HSW2N15 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Другие MOSFET... SWF630 , SWD630 , SW1N60A , SW1N60C , SW1N60D , SW1N60E , SW226N , SW226NV , TK10A60D , SW2N60 , SW2N60A1 , SW2N60B , SW2N60D , SW2N65 , SW2N65B , SW2N70 , SW3N10 .

 

 
Back to Top

 


 
.