SW2N10 - описание и поиск аналогов

 

SW2N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SW2N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для SW2N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SW2N10 даташит

 ..1. Size:430K  samwin
 sw2n10.pdf pdf_icon

SW2N10

SAMWIN SW2N10 N-channel SOT-23 MOSFET SOT-23 Features BVDSS 100V 3 ID 2A High ruggedness RDS(ON) (Max0.24 )@VGS=10V RDS(ON) 0.24 Gate Charge (Typical 13nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 1. Gate 2. Source 3. Drain 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.

 9.1. Size:561K  huashuo
 hsw2n15.pdf pdf_icon

SW2N10

HSW2N15 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 150 V DS The HSW2N15 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 380 m DS(ON),typ gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 1.4 A D The HSW2N15 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Другие MOSFET... SWF630 , SWD630 , SW1N60A , SW1N60C , SW1N60D , SW1N60E , SW226N , SW226NV , 13N50 , SW2N60 , SW2N60A1 , SW2N60B , SW2N60D , SW2N65 , SW2N65B , SW2N70 , SW3N10 .

History: CS8N80A8H | BSR302N | AP4532GM-HF | SMK0825FZ | APM2605C | PJM3401PSA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.