SW2N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SW2N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для SW2N10
SW2N10 Datasheet (PDF)
sw2n10.pdf

SAMWIN SW2N10 N-channel SOT-23 MOSFET SOT-23 Features BVDSS : 100V 3 ID : 2A High ruggedness RDS(ON) (Max0.24)@VGS=10V RDS(ON) :0.24 Gate Charge (Typical 13nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 1. Gate 2. Source 3. Drain 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.
hsw2n15.pdf

HSW2N15 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 150 V DSThe HSW2N15 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 380 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 1.4 A DThe HSW2N15 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.
Другие MOSFET... SWF630 , SWD630 , SW1N60A , SW1N60C , SW1N60D , SW1N60E , SW226N , SW226NV , TK10A60D , SW2N60 , SW2N60A1 , SW2N60B , SW2N60D , SW2N65 , SW2N65B , SW2N70 , SW3N10 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313