RFG70N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RFG70N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 137 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 792 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RFG70N06

RFG70N06 Datasheet (PDF)

..1. Size:229K fairchild semi
rfg70n06 rfp70n06 rf1s70n06 rf1s70n06sm.pdf

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06,RF1S70N06SMData Sheet February 200570A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 70A, 60VThese are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(on) = 0.014the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensated PSPICE Modelsizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silic

..2. Size:211K inchange semiconductor
rfg70n06.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor RFG70N06FEATURESWith TO-247 packagingUIS rating curvePeak current vs pulse width curveHigh power and current handling capability100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATIN

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Liste

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