Справочник MOSFET. RFG70N06

 

RFG70N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFG70N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 137 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 792 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для RFG70N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFG70N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  fairchild semi
 rfg70n06 rfp70n06 rf1s70n06 rf1s70n06sm.pdf pdf_icon

RFG70N06

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06,RF1S70N06SMData Sheet February 200570A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 70A, 60VThese are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(on) = 0.014the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensated PSPICE Modelsizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silic

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
 rfg70n06.pdf pdf_icon

RFG70N06

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor RFG70N06FEATURESWith TO-247 packagingUIS rating curvePeak current vs pulse width curveHigh power and current handling capability100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Другие MOSFET... RFG45N06 , RFG45N06LE , RFG50N05L , RFG50N06 , RFG50N06LE , RFG60P03 , RFG60P05E , RFG60P06E , 5N60 , RFG75N05E , RFL1N10L , RFP10P03L , RFP12N06RLE , RFP12N10L , RFP12P08 , RFP12P10 , RFP14N05 .

History: VBE1615 | MPSW65M045B | AP02N40K-HF | AFN8988 | CTZ2302A | SVF9N90F | WFP3205

 

 
Back to Top

 


 
.