RFG70N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFG70N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 137 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 792 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для RFG70N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFG70N06 даташит

 ..1. Size:229K  fairchild semi
 rfg70n06 rfp70n06 rf1s70n06 rf1s70n06sm.pdf pdf_icon

RFG70N06

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06, RF1S70N06SM Data Sheet February 2005 70A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel Power Features MOSFETs 70A, 60V These are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(on) = 0.014 the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensated PSPICE Model sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silic

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
 rfg70n06.pdf pdf_icon

RFG70N06

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor RFG70N06 FEATURES With TO-247 packaging UIS rating curve Peak current vs pulse width curve High power and current handling capability 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High current switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Другие IGBT... RFG45N06, RFG45N06LE, RFG50N05L, RFG50N06, RFG50N06LE, RFG60P03, RFG60P05E, RFG60P06E, IRLB4132, RFG75N05E, RFL1N10L, RFP10P03L, RFP12N06RLE, RFP12N10L, RFP12P08, RFP12P10, RFP14N05