SW2N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SW2N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252
Búsqueda de reemplazo de SW2N70 MOSFET
SW2N70 Datasheet (PDF)
sw2n70.pdf

SAMWIN SW2N70N-channel MOSFETTO-251 TO-252BVDSS : 700VFeaturesID : 2A High ruggednessRDS(ON) : 7ohm RDS(ON) (Max 7 )@VGS=10V2 Gate Charge (Typical 11nC)11 Improved dv/dt Capability 2 323 100% Avalanche Tested1. Gate 2. Drain 3. Source13General DescriptionThis power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.This te
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History: AP80SL650AI | SIE822DF | IPD30N10S3L-34 | PMN22XN | IRFU4105PBF | TSM2N60CZ | NTD32N06LG
History: AP80SL650AI | SIE822DF | IPD30N10S3L-34 | PMN22XN | IRFU4105PBF | TSM2N60CZ | NTD32N06LG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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