SW2N70 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SW2N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
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SW2N70 datasheet
sw2n70.pdf
SAMWIN SW2N70 N-channel MOSFET TO-251 TO-252 BVDSS 700V Features ID 2A High ruggedness RDS(ON) 7ohm RDS(ON) (Max 7 )@VGS=10V 2 Gate Charge (Typical 11nC) 1 1 Improved dv/dt Capability 2 3 2 3 100% Avalanche Tested 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN. This te
Otros transistores... SW226NV , SW2N10 , SW2N60 , SW2N60A1 , SW2N60B , SW2N60D , SW2N65 , SW2N65B , IRF530 , SW3N10 , SW3N80C , SW4N60 , SW4N60A , SW4N60B , SW4N60D , SW4N60K , SW4N60V .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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