SW2N70 Todos los transistores

 

SW2N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SW2N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SW2N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  samwin
sw2n70.pdf pdf_icon

SW2N70

SAMWIN SW2N70N-channel MOSFETTO-251 TO-252BVDSS : 700VFeaturesID : 2A High ruggednessRDS(ON) : 7ohm RDS(ON) (Max 7 )@VGS=10V2 Gate Charge (Typical 11nC)11 Improved dv/dt Capability 2 323 100% Avalanche Tested1. Gate 2. Drain 3. Source13General DescriptionThis power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.This te

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History: AP09N70P-H | SM1F04NSFP | TSD5N60M | CS5N65F | R6520KNZ1 | IRHMK57260SE | 2SK412

 

 
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