Справочник MOSFET. SW2N70

 

SW2N70 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SW2N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: TO-251 TO-252

 Аналог (замена) для SW2N70

 

 

SW2N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  samwin
 sw2n70.pdf

SW2N70 SW2N70

SAMWIN SW2N70N-channel MOSFETTO-251 TO-252BVDSS : 700VFeaturesID : 2A High ruggednessRDS(ON) : 7ohm RDS(ON) (Max 7 )@VGS=10V2 Gate Charge (Typical 11nC)11 Improved dv/dt Capability 2 323 100% Avalanche Tested1. Gate 2. Drain 3. Source13General DescriptionThis power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.This te

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SFH9140

 

 
Back to Top