Справочник MOSFET. SW2N70

 

SW2N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SW2N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: TO-251 TO-252
 

 Аналог (замена) для SW2N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SW2N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  samwin
 sw2n70.pdf pdf_icon

SW2N70

SAMWIN SW2N70N-channel MOSFETTO-251 TO-252BVDSS : 700VFeaturesID : 2A High ruggednessRDS(ON) : 7ohm RDS(ON) (Max 7 )@VGS=10V2 Gate Charge (Typical 11nC)11 Improved dv/dt Capability 2 323 100% Avalanche Tested1. Gate 2. Drain 3. Source13General DescriptionThis power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.This te

Другие MOSFET... SW226NV , SW2N10 , SW2N60 , SW2N60A1 , SW2N60B , SW2N60D , SW2N65 , SW2N65B , AO4407 , SW3N10 , SW3N80C , SW4N60 , SW4N60A , SW4N60B , SW4N60D , SW4N60K , SW4N60V .

History: MS15N60 | AO4466L | SI2356DS

 

 
Back to Top

 


 
.