SW2N70 - описание и поиск аналогов

 

SW2N70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SW2N70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для SW2N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SW2N70 даташит

 ..1. Size:418K  samwin
 sw2n70.pdf pdf_icon

SW2N70

SAMWIN SW2N70 N-channel MOSFET TO-251 TO-252 BVDSS 700V Features ID 2A High ruggedness RDS(ON) 7ohm RDS(ON) (Max 7 )@VGS=10V 2 Gate Charge (Typical 11nC) 1 1 Improved dv/dt Capability 2 3 2 3 100% Avalanche Tested 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN. This te

Другие MOSFET... SW226NV , SW2N10 , SW2N60 , SW2N60A1 , SW2N60B , SW2N60D , SW2N65 , SW2N65B , IRF530 , SW3N10 , SW3N80C , SW4N60 , SW4N60A , SW4N60B , SW4N60D , SW4N60K , SW4N60V .

History: SMK1080FD | 70N06L-TQ2 | 2N65L-TMA-T | BRCS70N08IP | SI2305CDS-T1-GE3 | STB17N80K5 | 2N6788L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.