SW3N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SW3N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.107 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SW3N10

SW3N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:509K samwin
sw3n10.pdf

SAMWIN SW3N10 N-channel D-PAK MOSFET TO-252 BVDSS : 100V Features ID : 3A High ruggedness RDS(ON) : 107m RDS(ON) (Max 107m)@VGS=10V Gate Charge (Typical 21nC) Improved dv/dt Capability 2 2 100% Avalanche Tested 1 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.

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Liste

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