SW3N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SW3N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.107 Ohm
Encapsulados: TO-252
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SW3N10 datasheet
sw3n10.pdf
SAMWIN SW3N10 N-channel D-PAK MOSFET TO-252 BVDSS 100V Features ID 3A High ruggedness RDS(ON) 107m RDS(ON) (Max 107m )@VGS=10V Gate Charge (Typical 21nC) Improved dv/dt Capability 2 2 100% Avalanche Tested 1 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.
Otros transistores... SW2N10 , SW2N60 , SW2N60A1 , SW2N60B , SW2N60D , SW2N65 , SW2N65B , SW2N70 , CS150N03A8 , SW3N80C , SW4N60 , SW4N60A , SW4N60B , SW4N60D , SW4N60K , SW4N60V , SW4N65B .
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