SW3N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

SW3N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SW3N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.107 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SW3N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SW3N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  samwin
 sw3n10.pdf pdf_icon

SW3N10

SAMWIN SW3N10 N-channel D-PAK MOSFET TO-252 BVDSS : 100V Features ID : 3A High ruggedness RDS(ON) : 107m RDS(ON) (Max 107m)@VGS=10V Gate Charge (Typical 21nC) Improved dv/dt Capability 2 2 100% Avalanche Tested 1 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.

Другие MOSFET... SW2N10 , SW2N60 , SW2N60A1 , SW2N60B , SW2N60D , SW2N65 , SW2N65B , SW2N70 , CS150N03A8 , SW3N80C , SW4N60 , SW4N60A , SW4N60B , SW4N60D , SW4N60K , SW4N60V , SW4N65B .

History: BSZ150N10LS3G | APM2054NV | 12N18 | IRF8915 | AP9T18GH-HF | IRFR3410TR | FKP253

 

 
Back to Top

 


 
.