SW3N10 - описание и поиск аналогов

 

SW3N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SW3N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.107 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SW3N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SW3N10 даташит

 ..1. Size:509K  samwin
 sw3n10.pdf pdf_icon

SW3N10

SAMWIN SW3N10 N-channel D-PAK MOSFET TO-252 BVDSS 100V Features ID 3A High ruggedness RDS(ON) 107m RDS(ON) (Max 107m )@VGS=10V Gate Charge (Typical 21nC) Improved dv/dt Capability 2 2 100% Avalanche Tested 1 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.

Другие MOSFET... SW2N10 , SW2N60 , SW2N60A1 , SW2N60B , SW2N60D , SW2N65 , SW2N65B , SW2N70 , CS150N03A8 , SW3N80C , SW4N60 , SW4N60A , SW4N60B , SW4N60D , SW4N60K , SW4N60V , SW4N65B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.