SW3N80C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SW3N80C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252
Búsqueda de reemplazo de SW3N80C MOSFET
SW3N80C Datasheet (PDF)
sw3n80c.pdf
SAMWINSW3N80CSW3N80CN-channel MOSFETTO-220F IPAK DPAKBVDSS : 800VFeaturesID : 3.0A High ruggednessRDS(ON) : 4.9ohm RDS(ON) (Max 4.9 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 12nC)2 Improved dv/dt Capability 111 3 2 100% Avalanche Tested 23 231. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technol
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History: ME2301-G | JCS12N65FT | FDMS86250 | SIR690DP | SQ2348ES-T1 | FS30AS-06 | NCEP033N10M
History: ME2301-G | JCS12N65FT | FDMS86250 | SIR690DP | SQ2348ES-T1 | FS30AS-06 | NCEP033N10M
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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