SW3N80C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SW3N80C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.9 Ohm
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SW3N80C datasheet
sw3n80c.pdf
SAMWIN SW3N80C SW3N80C N-channel MOSFET TO-220F IPAK DPAK BVDSS 800V Features ID 3.0A High ruggedness RDS(ON) 4.9ohm RDS(ON) (Max 4.9 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 12nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 3 2 100% Avalanche Tested 2 3 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description 3 This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technol
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History: ZVP4525Z | BM2300
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Liste
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