SW3N80C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SW3N80C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 147 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 12.5 nC
Tiempo de subida (tr): 26 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SW3N80C
SW3N80C Datasheet (PDF)
..1. Size:841K samwin
sw3n80c.pdf
sw3n80c.pdf
SAMWINSW3N80CSW3N80CN-channel MOSFETTO-220F IPAK DPAKBVDSS : 800VFeaturesID : 3.0A High ruggednessRDS(ON) : 4.9ohm RDS(ON) (Max 4.9 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 12nC)2 Improved dv/dt Capability 111 3 2 100% Avalanche Tested 23 231. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technol
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
