SW3N80C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SW3N80C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SW3N80C

SW3N80C Datasheet (PDF)

..1. Size:841K samwin
sw3n80c.pdf

SAMWINSW3N80CSW3N80CN-channel MOSFETTO-220F IPAK DPAKBVDSS : 800VFeaturesID : 3.0A High ruggednessRDS(ON) : 4.9ohm RDS(ON) (Max 4.9 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 12nC)2 Improved dv/dt Capability 111 3 2 100% Avalanche Tested 23 231. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technol

8.1. Size:228K 1
ssi3n80a ssw3n80a.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: