Справочник MOSFET. SW3N80C

 

SW3N80C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SW3N80C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-251 TO-252
 

 Аналог (замена) для SW3N80C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SW3N80C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:841K  samwin
 sw3n80c.pdf pdf_icon

SW3N80C

SAMWINSW3N80CSW3N80CN-channel MOSFETTO-220F IPAK DPAKBVDSS : 800VFeaturesID : 3.0A High ruggednessRDS(ON) : 4.9ohm RDS(ON) (Max 4.9 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 12nC)2 Improved dv/dt Capability 111 3 2 100% Avalanche Tested 23 231. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technol

 8.1. Size:228K  1
 ssi3n80a ssw3n80a.pdf pdf_icon

SW3N80C

Другие MOSFET... SW2N60 , SW2N60A1 , SW2N60B , SW2N60D , SW2N65 , SW2N65B , SW2N70 , SW3N10 , IRFP450 , SW4N60 , SW4N60A , SW4N60B , SW4N60D , SW4N60K , SW4N60V , SW4N65B , SW4N65D .

 

 
Back to Top

 


 
.