SW3N80C - описание и поиск аналогов

 

SW3N80C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SW3N80C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для SW3N80C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SW3N80C даташит

 ..1. Size:841K  samwin
 sw3n80c.pdf pdf_icon

SW3N80C

SAMWIN SW3N80C SW3N80C N-channel MOSFET TO-220F IPAK DPAK BVDSS 800V Features ID 3.0A High ruggedness RDS(ON) 4.9ohm RDS(ON) (Max 4.9 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 12nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 3 2 100% Avalanche Tested 2 3 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description 3 This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technol

 8.1. Size:228K  1
 ssi3n80a ssw3n80a.pdf pdf_icon

SW3N80C

Другие MOSFET... SW2N60 , SW2N60A1 , SW2N60B , SW2N60D , SW2N65 , SW2N65B , SW2N70 , SW3N10 , NCEP15T14 , SW4N60 , SW4N60A , SW4N60B , SW4N60D , SW4N60K , SW4N60V , SW4N65B , SW4N65D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.