SW3N80C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SW3N80C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm
Тип корпуса: TO-251 TO-252
Аналог (замена) для SW3N80C
SW3N80C Datasheet (PDF)
sw3n80c.pdf
SAMWINSW3N80CSW3N80CN-channel MOSFETTO-220F IPAK DPAKBVDSS : 800VFeaturesID : 3.0A High ruggednessRDS(ON) : 4.9ohm RDS(ON) (Max 4.9 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 12nC)2 Improved dv/dt Capability 111 3 2 100% Avalanche Tested 23 231. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technol
Другие MOSFET... SW2N60 , SW2N60A1 , SW2N60B , SW2N60D , SW2N65 , SW2N65B , SW2N70 , SW3N10 , AON6380 , SW4N60 , SW4N60A , SW4N60B , SW4N60D , SW4N60K , SW4N60V , SW4N65B , SW4N65D .
History: STF3LN62K3 | BSP030 | SWD7N65DA | AP3310GH | STB100N6F7 | AP2321GN-HF | SWU12N70D
History: STF3LN62K3 | BSP030 | SWD7N65DA | AP3310GH | STB100N6F7 | AP2321GN-HF | SWU12N70D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet