RFG75N05E Todos los transistores

 

RFG75N05E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFG75N05E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de RFG75N05E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RFG75N05E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  intersil
 rfg75n05e.pdf pdf_icon

RFG75N05E

RFG75N05EData Sheet July 1999 File Number 2275.575A, 50V, 0.008 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFET 75A, 50VThese are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.008power field effect transistors. They are advanced power Electrostatic Discharge RatedMOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a UIS Rating Curve (Single Pulse)specified level

Otros transistores... RFG45N06LE , RFG50N05L , RFG50N06 , RFG50N06LE , RFG60P03 , RFG60P05E , RFG60P06E , RFG70N06 , AO3400 , RFL1N10L , RFP10P03L , RFP12N06RLE , RFP12N10L , RFP12P08 , RFP12P10 , RFP14N05 , RFP14N05L .

History: HCD6NC70S | UT4435 | CHM6030LPAGP | BUK9528-55A | AFN2308A | QM12N65B | SIR492DP

 

 
Back to Top

 


 
.