RFG75N05E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFG75N05E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO247

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RFG75N05E datasheet

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RFG75N05E

RFG75N05E Data Sheet July 1999 File Number 2275.5 75A, 50V, 0.008 Ohm, N-Channel Power Features MOSFET 75A, 50V These are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.008 power field effect transistors. They are advanced power Electrostatic Discharge Rated MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a UIS Rating Curve (Single Pulse) specified level

Otros transistores... RFG45N06LE, RFG50N05L, RFG50N06, RFG50N06LE, RFG60P03, RFG60P05E, RFG60P06E, RFG70N06, AO3401, RFL1N10L, RFP10P03L, RFP12N06RLE, RFP12N10L, RFP12P08, RFP12P10, RFP14N05, RFP14N05L